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半导体3
michellegao | 2008-03-27 13:19:35    阅读:1275   发布文章

低维半导体材料

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈!从本质上看,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式,也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。

电子在块体材料里,在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候,电子在这个方向上的运动会受到限制,电子的能量不再是连续的,而是量子化的,我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动,另外两个方向上受到限制;量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小,电子在三个方向上都不能自由运动,能量在三个方向上都是量子化的。

由于上述的原因,电子的态密度函数也发生了变化,块体材料是抛物线,电子在这上面可以自由运动;如果是量子点材料,它的态密度函数就像是单个的分子、原子那样,完全是孤立的 函数分布,基于这个特点,可制造功能强大的量子器件。

现在的大规模集成电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致芯片发热,从而限制了集成度,如果采用单个电子或几个电子做成的存储器,不但集成度可以提高,而且功耗问题也可以解决。目前的激光器效率不高,因为激光器的波长随着温度变化,一般来说随着温度增高波长要红移,所以现在光纤通信用的激光器都要控制温度。如果能用量子点激光器代替现有的量子阱激光器,这些问题就可迎刃而解了。

基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟,广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联激光器是一个单极器件,是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源,在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。它对MBE制备工艺要求很高,整个器件结构几百到上千层,每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度,我国在此领域做出了国际先进水平的成果;又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器,它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点,我国已有很好的研究基础;在量子点(线)材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。

小结

从整个半导体材料和信息技术发展来看,目前的信息载体主要是电子,即电子的电荷(电流)。电子还有一个属性,电子的自旋,我们尚未用上。如果我们再把电子的自旋用上,就增加了一个自由度,这也是人们目前研究的方向之一。我们从电子材料硅、锗发展到光电子材料GaAs和InP,GaN等,就是电子跟光子可以结合一起使用的材料,光电子材料比电子材料的功能更强大;再下一代的材料很可能是光子材料。我们现在只用了光子的振幅,而光的偏振和光的位相应用还未开发出来,所以这给我们研究者留下了非常广阔的天地。从材料的发展来看,从块体材料向薄层、超薄层,低维(纳米)结构材料和功能芯片材料方向发展;功能芯片可能是有机跟无机的结合,也可以是生命与有机和无机的结合,这也为我们提供了一个非常广阔的创新的天地,我相信人们将来能在这个领域大有作为。

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